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集成電路產(chǎn)品EMC測試系統(tǒng)的測試項目
日期:2024-10-19 08:14
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摘要: 集成電路產(chǎn)品EMC測試系統(tǒng)是嚴(yán)格按照IEC 61967和IEC 62132系列進(jìn)行設(shè)計,整套系統(tǒng)的功能和性能不僅能夠滿足上述兩大類標(biāo)準(zhǔn)要求的測試項目。而且在系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)具有**性、實踐可行性,滿足各類集成電路模塊、各類存儲芯片、各類電源管理芯片、各類接口芯片、各類時鐘芯片以及運(yùn)放等。
集成電路產(chǎn)品EMC測試系統(tǒng)的測試項目有:EMI類、EMS類。
EMI類:依據(jù)IEC 61967系列標(biāo)準(zhǔn);
TEM小室法—輻射發(fā)射測試;
表面掃描法—輻射發(fā)射測試;
1Ω/150Ω直接耦合法—傳導(dǎo)發(fā)射測試;
EMS類(頻域):依據(jù)IE...
集成電路產(chǎn)品EMC測試系統(tǒng)是嚴(yán)格按照IEC 61967和IEC 62132系列進(jìn)行設(shè)計,整套系統(tǒng)的功能和性能不僅能夠滿足上述兩大類標(biāo)準(zhǔn)要求的測試項目。而且在系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)具有**性、實踐可行性,滿足各類集成電路模塊、各類存儲芯片、各類電源管理芯片、各類接口芯片、各類時鐘芯片以及運(yùn)放等。
集成電路產(chǎn)品EMC測試系統(tǒng)的測試項目有:EMI類、EMS類。
EMI類:依據(jù)IEC 61967系列標(biāo)準(zhǔn);
TEM小室法—輻射發(fā)射測試;
表面掃描法—輻射發(fā)射測試;
1Ω/150Ω直接耦合法—傳導(dǎo)發(fā)射測試;
EMS類(頻域):依據(jù)IEC62132系列與IEC 62215系列標(biāo)準(zhǔn);
TEM小室法—輻射敏感度測試;
大電流注入法—傳導(dǎo)敏感度測試;
直接功率注入法—傳導(dǎo)敏感度測試;
電快速脈沖群(EFT)注入法—傳導(dǎo)敏感度測試;
靜電放電(ESD)注入法—傳導(dǎo)敏感度測試;
TEM小室法—輻射發(fā)射測試的測試目的:在150kHz~1GHz內(nèi)測試IC輻射發(fā)射。適用于封裝/片內(nèi)去耦/引腳分布等的優(yōu)劣判別,測試要滿足以下條件。
測試布置:
使用TEM小室作為接收傳感器,然后使用EMI測試接收機(jī)/頻譜儀進(jìn)行測量。
測試方法:
為了保證重復(fù)性,環(huán)境溫度保持于18℃~28℃;測試環(huán)境的背景電磁噪聲至少低于*低極限線值6dB;在測試之前,集成電路應(yīng)使用適當(dāng)?shù)某绦蚣虞d并處于穩(wěn)定狀態(tài);待測集成電路的供電特性應(yīng)符合集成電路制造商要求。
測試步驟:
**步:按測試布置進(jìn)行環(huán)境溫度及背景電磁噪聲測試,此時待IC不上電;
第 二步:待測IC上電,并進(jìn)行功能測試,需要對IC的軟件加載,并一直到其處于穩(wěn)定狀態(tài);
第三步:對待測IC進(jìn)行輻射發(fā)射測量;
第四步:將待測IC與測試夾具旋轉(zhuǎn)90o,重復(fù)第三步測試,直至四個可能的方向均完成輻射發(fā)射測量。
集成電路產(chǎn)品EMC測試系統(tǒng)的測試項目有:EMI類、EMS類。
EMI類:依據(jù)IEC 61967系列標(biāo)準(zhǔn);
TEM小室法—輻射發(fā)射測試;
表面掃描法—輻射發(fā)射測試;
1Ω/150Ω直接耦合法—傳導(dǎo)發(fā)射測試;
EMS類(頻域):依據(jù)IEC62132系列與IEC 62215系列標(biāo)準(zhǔn);
TEM小室法—輻射敏感度測試;
大電流注入法—傳導(dǎo)敏感度測試;
直接功率注入法—傳導(dǎo)敏感度測試;
電快速脈沖群(EFT)注入法—傳導(dǎo)敏感度測試;
靜電放電(ESD)注入法—傳導(dǎo)敏感度測試;
TEM小室法—輻射發(fā)射測試的測試目的:在150kHz~1GHz內(nèi)測試IC輻射發(fā)射。適用于封裝/片內(nèi)去耦/引腳分布等的優(yōu)劣判別,測試要滿足以下條件。
測試布置:
使用TEM小室作為接收傳感器,然后使用EMI測試接收機(jī)/頻譜儀進(jìn)行測量。
測試方法:
為了保證重復(fù)性,環(huán)境溫度保持于18℃~28℃;測試環(huán)境的背景電磁噪聲至少低于*低極限線值6dB;在測試之前,集成電路應(yīng)使用適當(dāng)?shù)某绦蚣虞d并處于穩(wěn)定狀態(tài);待測集成電路的供電特性應(yīng)符合集成電路制造商要求。
測試步驟:
**步:按測試布置進(jìn)行環(huán)境溫度及背景電磁噪聲測試,此時待IC不上電;
第 二步:待測IC上電,并進(jìn)行功能測試,需要對IC的軟件加載,并一直到其處于穩(wěn)定狀態(tài);
第三步:對待測IC進(jìn)行輻射發(fā)射測量;
第四步:將待測IC與測試夾具旋轉(zhuǎn)90o,重復(fù)第三步測試,直至四個可能的方向均完成輻射發(fā)射測量。