矩形微波暗室和錐形微波暗室是兩種常見的微波暗室類型，即所謂的直接照射方法。每種暗室都有不同的物理尺寸，因此會(huì)有不同的電磁行為。
矩形微波暗室處于一種真正的自動(dòng)空間狀態(tài)，而錐形暗室利用反射形成類似自由空間的行為。由于使用了反射的射線，因此*終形成的是準(zhǔn)自由而非真正自由的空間。
 

        眾所周知，矩形暗室比較容易制造，在低頻情況下的物理尺寸非常大，而且隨著頻率的提高工作性能會(huì)更好。相反，錐形暗室制造起來較復(fù)雜，也更長(zhǎng)一些，但寬度和高度比矩陣暗室要小。隨著頻率的提高(如2GHz以上)，對(duì)錐形暗室的操作必須十分小心才能確保達(dá)到足夠高的性能。

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        通過研究每種暗室中使用的吸波措施可以更清楚地認(rèn)識(shí)矩形和錐形暗室之間的區(qū)別。
       在矩形暗室中，關(guān)鍵是要減小被稱為靜區(qū)(QZ)的暗室區(qū)域中的反射能量。靜區(qū)電平是進(jìn)入靜區(qū)的反射射線與從源天線到靜區(qū)的直接射線之差，單位是dB。對(duì)于給定的靜區(qū)電平，這意味著后墻要求的正常反射率需等于或大于要達(dá)到的靜區(qū)電平。
      
        由于矩形暗室中的反射是一種斜入射，這會(huì)使吸波材料的效率打折扣，因此側(cè)墻非常關(guān)鍵。但是，由于存在源天線的增益，只有較少的能量照射到側(cè)墻(地板和天花板)，因此增益差加上斜入射反射率必須大于或等于靜區(qū)反射率水平。
 
       通常只有源和靜區(qū)之間存在鏡面反射的側(cè)墻區(qū)域需要昂貴的側(cè)墻吸波材料。在其它的例子中(例如在位于源后面的發(fā)射端墻處)，可以使用更短的吸波材料。在靜區(qū)周圍一般使用楔形吸波材料，這樣有助于減少任何后向散射，并防止對(duì)測(cè)量造成負(fù)面影響。
 
        錐形暗室中采用什么吸波措施呢？開發(fā)這種暗室的*初目的是為了規(guī)避矩形暗室在頻率低于500MHz時(shí)的局限性。在這些低頻頻段，矩形暗室不得不使用低效率天線，而且必須增加側(cè)墻吸波材料的厚度來減少反射并提高性能。同樣，必須增加暗室尺寸以適應(yīng)更大的吸波材料。采用較小的天線不是解決之道，因?yàn)楦偷脑鲆嬉馕吨鴤?cè)墻吸波材料仍必須增大尺寸。
 
        錐形暗室沒有消除鏡面反射。錐體形狀使鏡面區(qū)域更接近饋源(源天線的孔徑)，因此鏡面反射成為照射的一部分。鏡面區(qū)域可以用來通過形成一組并行射線入射進(jìn)靜區(qū)，從而產(chǎn)生照射。*終的靜區(qū)幅度和相位錐度接近自由空間中的期望值。
 
          使用陣列理論可以更清楚地解釋錐形暗室的照射機(jī)制?？紤]饋源由真實(shí)的源天線和一組映像組成。如果映像遠(yuǎn)離源(在電氣上)，那么陣列因子是不規(guī)則的(例如有許多紋波)。如果映像比較靠近源，那么陣列因子是一個(gè)等方性圖案。對(duì)位于(遠(yuǎn)場(chǎng)中的)AUT處的觀察者來說，他看到的源是源天線加上陣列因子后的圖案。換句話說，陣列將看起來像是自由空間中的獨(dú)立天線。
 
         在錐形暗室中，源天線非常關(guān)鍵，特別是在較高頻率時(shí)(如2GHz以上)，此時(shí)暗室行為對(duì)細(xì)小的變化更加敏感。整個(gè)錐體的角度和處理也很重要。角度必須保持恒定，因?yàn)殄F體部分角度的任何變化將引起照射誤差。因此測(cè)量時(shí)保持連續(xù)的角度是實(shí)現(xiàn)良好錐形性能的關(guān)鍵。
 
        與矩形暗室一樣，錐形暗室中的接收端墻體吸波材料的反射率必須大于或等于所要求的靜區(qū)電平。側(cè)墻吸波材料沒有那么重要，因?yàn)閺陌凳伊⒎襟w部分的側(cè)墻處反射的任何射線會(huì)被后墻進(jìn)一步吸收(后墻處有性能*好的吸波材料)。作為一般的“經(jīng)驗(yàn)之談”，立方體上的吸波材料的反射率是后墻吸波材料的一半。為減少潛在的散射，吸波材料可以呈45度角或菱形放置，當(dāng)然也可以使用楔形材料。
 
      錐形微波暗室的特性，可以用來與典型的矩形暗室作比較。較少量的錐形吸波材料意味著更小的暗室，因此成本更低。這兩種暗室提供基本相同的性能。不過需要注意的是，矩形暗室要想達(dá)到與錐形暗室相同的性能，必須做得更大，采用更長(zhǎng)的吸波材料和數(shù)量更多的吸波材料。