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電快速瞬變脈沖群(EFT)抑制方法

日期:2024-10-19 08:08
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摘要:一、電快速瞬變脈沖群特點(diǎn) ? 電快速瞬變脈沖群EFT是電氣和機(jī)電設(shè)備中常見(jiàn)的一種瞬態(tài)干擾,是由繼電器、接觸器、電動(dòng)機(jī)、變壓器等電感器件產(chǎn)生的,是時(shí)間很短但幅度很大的電磁干擾,是一連串的脈沖,可以在電路輸入端產(chǎn)生累計(jì)效應(yīng),使干擾電平的幅度*終超過(guò)電路的噪聲門(mén)限,對(duì)電路形成干擾。 電快速瞬變脈沖群由大量脈沖組成,具有如下特點(diǎn): 1) 幅值在100V至數(shù)千伏; 2) 脈沖頻率在1kHz至1MHz; 3) 單個(gè)脈沖的上升沿在納秒級(jí),脈沖持續(xù)時(shí)間在幾十納秒至數(shù)毫秒; 4) EFT所形成的騷擾信號(hào)頻譜分補(bǔ)非常寬...
一、電快速瞬變脈沖群特點(diǎn)
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           電快速瞬變脈沖群EFT是電氣和機(jī)電設(shè)備中常見(jiàn)的一種瞬態(tài)干擾,是由繼電器、接觸器、電動(dòng)機(jī)、變壓器等電感器件產(chǎn)生的,是時(shí)間很短但幅度很大的電磁干擾,是一連串的脈沖,可以在電路輸入端產(chǎn)生累計(jì)效應(yīng),使干擾電平的幅度*終超過(guò)電路的噪聲門(mén)限,對(duì)電路形成干擾。
       電快速瞬變脈沖群由大量脈沖組成,具有如下特點(diǎn):
1) 幅值在100V至數(shù)千伏;
2) 脈沖頻率在1kHz至1MHz;
3) 單個(gè)脈沖的上升沿在納秒級(jí),脈沖持續(xù)時(shí)間在幾十納秒至數(shù)毫秒;
4) EFT所形成的騷擾信號(hào)頻譜分補(bǔ)非常寬,數(shù)字電路對(duì)它比較敏感,易受到干擾。


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二、電快速瞬變脈沖群常見(jiàn)抑制方法
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1) 減小PCB接地線(xiàn)公共阻抗:增加PCB接地導(dǎo)線(xiàn)的面積,減小電感量成分;
2) 加接EFT電感瞬態(tài)干擾抑制網(wǎng)絡(luò):在電感元件上并接壓敏電阻、阻容電路、二極管、TVS管、背靠連接的穩(wěn)壓二極管等;
3) 電源或信號(hào)干擾源輸入口,使用濾波器或吸收器等濾波元器件,選用磁珠的內(nèi)徑越小、外徑越大、長(zhǎng)度越長(zhǎng)越好;
4) 電子元器件選擇時(shí),選用性能可靠的關(guān)鍵器件;*好做過(guò)芯片級(jí)的電磁兼容仿真試驗(yàn),質(zhì)量可靠的元器件選用可提升對(duì)電快速瞬變脈沖信號(hào)的抑制能力;
4) PCB布局時(shí),將干擾源遠(yuǎn)離敏感電路;
5) PCB布線(xiàn)時(shí)注意線(xiàn)纜的隔離,強(qiáng)弱電的布線(xiàn)隔離、信號(hào)線(xiàn)與功率線(xiàn)的隔離,各類(lèi)走線(xiàn)要盡量短,
6) 正確使用接地技術(shù),減小環(huán)路面積;
7) 安裝瞬態(tài)干擾吸收器;
8) 軟件設(shè)計(jì)時(shí),考慮避免干擾對(duì)系統(tǒng)的影響,軟件上應(yīng)正確檢測(cè)和處理告警信息,及時(shí)恢復(fù)產(chǎn)品的狀態(tài);
9) I/O信號(hào)進(jìn)出由完全隔離的變壓器或光耦連接,更好的實(shí)現(xiàn)隔離;
10) 使用高阻抗的共?;虿钅k姼袨V波器
11) 使用鐵氧體磁環(huán);
12) 在PCB層電源輸入位置要做好濾波,通常采用的是大小電容組合,根據(jù)實(shí)際情況可以酌情再添加上等磁珠來(lái)濾除高頻信號(hào);13) 組裝生產(chǎn)環(huán)節(jié)中應(yīng)嚴(yán)把質(zhì)量關(guān),做好生產(chǎn)工藝流程控制,盡量保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性,減少因個(gè)別產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題帶來(lái)的測(cè)試不合格現(xiàn)象;


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三、PCB抗干擾設(shè)計(jì)
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1、電源電路抗干擾設(shè)計(jì)
1) 變壓器及穩(wěn)壓模塊應(yīng)就近安裝在交流電源進(jìn)入系統(tǒng)的地方;
2) 強(qiáng)電輸送線(xiàn)絕不能在系統(tǒng)內(nèi)亂布;
3) 電源供電線(xiàn)應(yīng)盡量短,板間連接線(xiàn)使用雙絞線(xiàn);
4) 交流輸入、功率繼電器、電源濾波器、電源變壓器等干擾源電路應(yīng)與系統(tǒng)穩(wěn)壓后的5V、3.3V等布線(xiàn)嚴(yán)格分開(kāi)并進(jìn)行有效隔離;
5) 穩(wěn)壓電源輸出并接電解電容及0.01uF左右陶瓷電容和二極管;

2、PCB布局抗干擾設(shè)計(jì)
1) 主控部分和外圍設(shè)備按各自體系要有明顯界限,不能混裝,即使系統(tǒng)只有一塊印制板,也要分模塊設(shè)計(jì),模塊間做好隔離;
2) 大功率低速電路、模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)分開(kāi)布局,大功率器件應(yīng)與小信號(hào)電路分開(kāi),如功率繼電器要與主控模塊及弱點(diǎn)驅(qū)動(dòng)模塊隔離,使相互間的信號(hào)耦合*小;
3) 各部件之間引線(xiàn)要盡量短,噪聲敏感器件盡量縮短連接的信號(hào)線(xiàn);
4) 發(fā)熱量大的器件如電源芯片、單片機(jī)、RAM等應(yīng)盡量安排在不影響敏感電路的地方及通風(fēng)冷卻較好的地方,電路板豎直放置時(shí),發(fā)熱量大的器件應(yīng)放置在*上邊。
5) 晶振與CPU時(shí)鐘輸入端,要相互靠近;
6) 易產(chǎn)生噪聲的器件、小電流電路、大電流電路等應(yīng)盡量遠(yuǎn)離邏輯電路,如果有可能,應(yīng)分開(kāi)做印制電路板;
7) 盡可能縮短高頻元器件之間的連線(xiàn),設(shè)法減少它們的分布參數(shù)和相互間的電磁干擾;易受干擾的元器件不能相互靠得太近,輸入和輸出元器件應(yīng)盡量遠(yuǎn)離;
8) 按功能模塊對(duì)電路板進(jìn)行分區(qū),把有干擾的電源、接地層和其它功能區(qū)與無(wú)干擾的或靜態(tài)的區(qū)域分開(kāi);每個(gè)功能模塊分區(qū)元器件放置應(yīng)相互靠近,布線(xiàn)長(zhǎng)度*短;
9) DC/DC模塊、開(kāi)關(guān)元器件和整流器應(yīng)盡可能靠近變壓器放置;
10) 電磁干擾濾波器要盡可能靠近電磁干擾源,并放在同一塊電路板上;
11) 調(diào)壓元器件和濾波電容器應(yīng)盡可能靠近整流二極管放置;
12) 印制電路板按頻率和電流開(kāi)關(guān)特性分區(qū),噪聲元器件和非噪聲元器件距離盡量遠(yuǎn);
13) 對(duì)噪聲敏感的布線(xiàn)不要與大電流和高速開(kāi)關(guān)線(xiàn)平行;
14) 連接器、接插件應(yīng)布置在電路板一側(cè),盡量避免從兩側(cè)引出電纜,減少共模輻射;

3、PCB布線(xiàn)抗干擾設(shè)計(jì)
1) 電路板的層數(shù)根據(jù)系統(tǒng)電源網(wǎng)絡(luò)、強(qiáng)弱信號(hào)網(wǎng)絡(luò)等因素來(lái)確定;在電路板層數(shù)允許的情況下,可設(shè)置獨(dú)立的電源層和地層;
2) 數(shù)字電路和模擬電路要分開(kāi)接地;數(shù)字電路的地可構(gòu)成閉環(huán)以提高抗干擾性能,地平面一般做接地處理,并作為基本電平參考點(diǎn),地平面屏蔽效果優(yōu)于電源平面。
3) 元器件布局后,先布地線(xiàn)、電源線(xiàn)、然后布高速信號(hào)線(xiàn);數(shù)字電路地線(xiàn)采用網(wǎng)格結(jié)構(gòu)
4) 電源線(xiàn)應(yīng)盡量靠近地線(xiàn),減小差模輻射的環(huán)路面積,有利于減小電路間干擾;
5) 時(shí)鐘線(xiàn)與信號(hào)線(xiàn)之間用地線(xiàn)隔離,關(guān)鍵信號(hào)線(xiàn)之間用地線(xiàn)隔離,減小環(huán)路面積,可有效地抑制相鄰新號(hào)線(xiàn)路之間的耦合;
6) 避免印制電路板導(dǎo)線(xiàn)的不連續(xù)性,布線(xiàn)寬度不要突變,防止導(dǎo)線(xiàn)阻抗突變引發(fā)信號(hào)反射和駐波,布線(xiàn)不要突然拐角,避免直角和銳角布線(xiàn);
7) 電源線(xiàn)和地線(xiàn)要盡量寬、短、直,以減小阻抗;
8) 時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器電路應(yīng)盡量靠近使用時(shí)鐘的器件,時(shí)鐘線(xiàn)要盡量短,晶振外殼要接地,石英晶體及對(duì)噪聲敏感器件下面不要走線(xiàn),用地線(xiàn)把時(shí)鐘區(qū)圈起來(lái);
9) 電源線(xiàn)和地線(xiàn)加接去耦電容,盡量加寬電源導(dǎo)線(xiàn)寬度,采用大面積接地;電源輸入端跨接100uF左右的電解電容,每個(gè)IC處布置一個(gè)0.01uF的瓷片電容。去耦電容值的選區(qū)可按C=1/f計(jì)算,及10MHz取0.1uF,單片機(jī)系統(tǒng)一般取0.01uF—0.1uF;
10) 印制板中的接觸器、繼電器、按鈕等元器件,操作時(shí)易產(chǎn)生火花放電,采用RC回路來(lái)吸收放電電流,一般R取值1—2K,C取值2.2—4.7uF;
11) 單片機(jī)等芯片CMOS電路輸入阻抗很高,且易受靜電感應(yīng),對(duì)不用的端口通過(guò)電阻接地或接正電源;
12) 高速信號(hào)布線(xiàn)的過(guò)孔孔徑盡量小,高速并行線(xiàn)每根信號(hào)線(xiàn)的過(guò)孔數(shù)盡量保持相同;
13) 避免有過(guò)長(zhǎng)的平行信號(hào)線(xiàn),頂層和底層的布線(xiàn)相互垂直;
14) 數(shù)字地與模擬地要完全分開(kāi),單點(diǎn)共地;
15) 光耦隔離處把原、副徹底隔離開(kāi);
16) 變壓器、開(kāi)關(guān)電源,高頻器件下面盡量不要走線(xiàn);

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