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怎么樣才能對PCB布線和電磁兼容性實現(xiàn)設計約束
PCB布線對PCB的電磁兼容性影響很大,為了使PCB上的電路正常工作,應根據(jù)本文所述的約束條件來優(yōu)化布線以及元器件/接頭和某些IC所用去耦電路的布局
(一)、PCB材料的選擇
通過合理選擇PCB的材料和印刷線路的布線路徑,可以做出對其它線路耦合低的傳輸線。當傳輸線導體間的距離d小于同其它相鄰導體間的距離時,就能做到更低的耦合,或者更小的串擾(見《電子工程專輯》2000年第1期"應用指南")。
設計之前,可根據(jù)下列條件選擇*經濟的PCB形式:
對EMC的要求
印制板的密集程度
組裝與生產的能力
CAD系統(tǒng)能力
設計成本
PCB的數(shù)量
電磁屏蔽的成本
當采用非屏蔽外殼產品結構時,尤其要注意產品的整體成本/元器件封裝/管腳樣式、PCB形式、電磁場屏蔽、構造和組裝),在許多情況下,選好合適的PCB形式可以不必在塑膠外殼里加入金屬屏蔽盒。
為了提高高速模擬電路和所有數(shù)字應用的抗擾性同時減少有害輻射,需要用到傳輸線技術。根據(jù)輸出信號的轉換情況,S-VCC、S-VEE及VEE-VCC之間的傳輸線需要表示出來,如圖1所示。
信號電流由電路輸出級的對稱性決定。對MOS而言IOL=IOH,而對TTL而言IOL>IOH.
功能/邏輯類型ZO(Ω)
電源(典型值)<<10
ECL邏輯50
TTL邏輯100
HC(T)邏輯200
表1:幾種信號路徑的傳輸線阻抗ZO。
邏輯器件類型和功能上的原因決定了傳輸線典型特征阻抗ZO,如表1所示。
圖1:顯示三種特定傳輸線的(數(shù)字)IC之間典型互聯(lián)圖
圖2:IC去耦電路。
圖3:正確的去耦電路塊
表2:去耦電容Cdec..的推薦值。
邏輯電路噪聲容限
(二)、信號線路及其信號回路
傳送信號的線路要與其信號回路盡可能靠近,以防止這些線路包圍的環(huán)路區(qū)域產生輻射,并降低環(huán)路感應電壓的磁化系數(shù)。
一般情況下,當兩條線路間的距離等于線寬時,耦合系數(shù)大約為0.5到0.6,線路的有效自感應從1μH/m降到0.4-0.5μH/m.
這就意味著信號回路電流的40%到50%自由地就流向了PCB上其它線路。
對兩個(子)電路塊間的每一塊信號路徑,無論是模擬的還是數(shù)字的,都可以用三種傳輸線來表示,如圖1所示,其中阻抗可從表1得到。
TTL邏輯電路由高電平向低電平轉換時,吸收電流會大于電源電流以,在這種情況下,通常將傳輸線定義在Vcc和S之間,而不是VEE和S之間。通過采用鐵氧體磁環(huán)可完全控制信號線和信號回路線上的電流。
在平行導體情況下,傳輸線的特征阻抗會因為鐵氧體而受到影響,而在同軸電纜的情況下,鐵氧體只會對電纜的外部參數(shù)有影響。
因此,相鄰線路應盡可能細,而上下排列的則相反(通常距離小于1.5mm/雙層板中環(huán)氧樹脂的厚度)。布線應使每條信號線和它的信號回路盡可能靠近(信號和電源布線均適用)。如果傳輸線導體間耦合不夠,可采用鐵氧體磁環(huán)。
(三)、IC的去耦
通常IC僅通過電容來達到去耦的目的,因為電容并不理想,所以會產生諧振。在大于諧振頻率時,電容表現(xiàn)得象個電感,這就意味著di/dt受到了限制。電容的值由IC管腳間允許的電源電壓波動來決定,根據(jù)資 深設計人員的實踐經驗,電壓波動應小于信號線*壞狀況下的噪聲容限的25%,下面公式可計算出每種邏輯系列輸出門電路的*佳去耦電容值:I=c?dV/dt
表2給出了幾種邏輯系列門電路在*壞情況下信號線噪聲的容限,同時還給出每個輸出級應加的去耦電容Cdec.的推薦值。
圖4:PCB上環(huán)路的輻射
對快速邏輯電路來說,如果去耦電容含有很大串聯(lián)電感(這種電感也許是由電容的結構、長的連接線或PCB的印制線路造成的),電容的值可能不再有用。這時則需要在盡可能靠近IC管腳的地方加入另外一個小陶瓷電容(100-100Pf),與"LF-"去耦電容并聯(lián)。陶瓷電容的諧振頻率(包括到IC電源管腳的線路長度)應高于邏輯電路的帶寬[1/(π.τr)],其中,τr是邏輯電路中電壓的上升時間。
如果每個IC都有去耦電容,信號回路電流可選擇*方便的路徑,VEE或者VCC,這可以由傳送信號的線路和電源線路間的互耦來決定。
在兩個去耦電容(每個IC一個)和電源線路形成的電感Ltrace之間,會形成串聯(lián)諧振電路,這種諧振只可以發(fā)生在低頻(<1MHz=或諧振電路的Q值較低(<2=的情況下。
通過將高射頻損耗扼流線圈串聯(lián)在Vcc網絡和要去耦的IC中,可使諧振頻率保持在1MHz以下,如果射頻損耗太低可通過并聯(lián)或串聯(lián)電阻來補償(圖2)。
扼流線圈應該總是采用封閉的內芯,否則它會成為一個射頻發(fā)射器或磁場鐵感應器。
例如:1MHz*1μHzZ1=6.28ΩRs=3.14ΩQ<2Rp=12.56Ω
大于諧振頻率時,"傳輸線"的特征阻抗Z0(此時將IC的阻抗看作電源負載)等于:Z0=(Ltrace/Cdecoupling)的平方根
去耦電容的串聯(lián)電感和連接線路的電感對射頻電源電流分配沒有多大影響,比如采用了一個1μH扼流線圈的情況。但它仍然會決定IC電源管腳間的電壓波動,表3給出了電源信噪容限為25%時,推薦的*大電感值Ltrace.根據(jù)圖2所建議的去耦方法,兩個IC間的傳輸線數(shù)量從3條減少到了1條(見圖3)。
因此,對每個IC采用適當?shù)娜ヱ罘椒ǎ篖choke+Cdec.電路塊間就只需定義一條傳輸線。
對于τr<3ns的高速邏輯電路,與去耦電容串聯(lián)的全部電感必須要很低(見表3)。與電源管腳串聯(lián)的50mm印制線路相當于一個50hH電感,與輸出端的負載(典型值為50pF)一起決定了*小上升時間為3.2ns。如要求更快的上升時間,就必須縮短去耦電容的引腳。長度(*好無引腳)并縮短IC封裝的引腳,例如可以用IC去耦電容,或*好采用將(電源)管腳在中間的IC與很小的3E間距(DIL)無引腳陶瓷電容相結合等方法來達到這一目的,也可以用帶電源層和接地層的多層電路板。另外采用電源管腳在中間的SO封裝還可得到進一步的改善。但是,使用快速邏輯電路時,應采用多層電路板。
(四)、根據(jù)輻射決定環(huán)路面積
無終點傳輸線的反射情況決定了線路的*大長度。由于對產品的EM輻射有強制性要求,因此環(huán)路區(qū)域的面積和線路長度都受到限制,如果采用非屏蔽外殼,這種限制將直接由PCB來實現(xiàn)。
注意:如果在異步邏輯電路設計中采用串聯(lián)端接負載,必須要注意會出現(xiàn)準穩(wěn)性,特別是對稱邏輯輸入電路無法確定輸入信號是高還是低,而且可能會導致非定義輸出情況。
圖3:正確的去耦電路塊。
對于頻域中的邏輯信號,頻譜的電流幅度在超出邏輯信號帶寬(=1/π.τr)的頻率上與頻率的平方成反比。用角頻率表示,環(huán)路的輻射阻抗仍隨頻率平方成正比。因而可計算出*大的環(huán)路面積,它由時鐘速率或重復速率、邏輯信號的上升時間或帶寬以及時域的電流幅度決定。電流波形由電壓波形決定,電流半寬時間約等于電壓的上升時間。
電流幅度可用角頻率(=1/π.τr)表示為:I(f)=2.I.τr/T
其中:I=為時域電流幅度;T=為時鐘速率的倒數(shù),即周期;
τr為電壓的上升時間,約等于電流半寬時間τH。
從這一等式可計算出某種邏輯系列電路在某一時鐘速率下*大環(huán)路面積,表5給出了相應的環(huán)路面積。*大環(huán)路面積由時鐘速率、邏輯電路類型(=輸出電流)和PCB上同時存在的開關環(huán)路數(shù)量n決定。
如果所用的時鐘速率超過30MHz,就必須要采用多層電路板,在這種情況下,環(huán)氧樹脂的厚度與層數(shù)有關,在60至300μm之間。只有當PCB上的高速時鐘信號的數(shù)量有限時,通過采用層到層的線路進行仔細布線,也可在雙層板上得到可以接受的結果。
注意:在這種情況下,如采用普通DIL封裝,則會超過環(huán)路面積的限制,一定要有另外的屏蔽措施和適當?shù)臑V波。
所有連接到其它面板及部件的連接頭必須盡可能相互靠近放置,這樣在電纜中傳導的共模電流就不會流入PCB電路中的線路,另外,PCB上參考點間的電壓降也無法激勵(天線)電纜。
為避免這種共模影響,必須使靠近接頭的參考地和PCB上電路的接地層、接地網格或電路參考地隔開,如果可能,這些接地片應接到產品的金屬外殼上。從這個接地片上,只有高阻器件如電感、電阻、簧 片繼電器和光耦合器可接在兩個地之間。所有的接頭要盡可能靠近放置,以防止外部電流流過PCB上的線路或參考地。
(五)、電纜及接頭的正確選擇
電纜的選擇由流過電纜的信號幅度和頻率成分決定。對于位于產品外部的電纜來說,如果傳送10kHz以上時鐘速率的數(shù)據(jù)信號,則一定要用到屏蔽(產品要求),屏蔽部分應在電纜的兩端連接到地(金屬外殼產品),這樣能確保對電場和磁場都進行屏蔽。
如果用的是分開接地,則應連到"接頭地"而不是"電路地"。
如果時鐘速率在10kHz到1MHz之間,并且邏輯電路的上升時間盡可能保持低,將可以得到80%以上的光覆蓋或小于10Nh/m的轉移阻抗。如果時鐘速率超過1MHz時,就需要更好的屏蔽電纜。
通常,除同軸電纜外,電纜的屏蔽不應用作為信號回路。
通過在信號輸入/輸出和地/參考點之間串入無源濾波器以減少射頻成分,可以不必采用高質量屏蔽和相應接頭。好的屏蔽電纜應配備合適的連接頭。