建暗室，應(yīng)注意的幾個問題?。ǘ?/h1>

日期：2024-10-18 20:17

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摘要： 4、電波暗室設(shè)計技術(shù) 為了建造符合場地衰減要求的SAC，測量到的歸一化場地衰減數(shù)值與理想開闊場（依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)ANSIC63.4－1992）的理想值的差值應(yīng)小于4dB。這項指標(biāo)面臨著許多挑戰(zhàn)，特別在低頻段，吸波材料的電場尺寸很小，而且電磁性能很差。所以，在電波暗室建造之前，需要用數(shù)字仿真，以確認(rèn)和優(yōu)化電波暗室的設(shè)計。制造者可以選擇嘗試方法來設(shè)計，但這會消耗許多時間和成本。數(shù)字仿真，通過與已建造的暗室的性能測量數(shù)據(jù)的修正相結(jié)合，是今天的電波暗室的...

4、電波暗室設(shè)計技術(shù)            為了建造符合場地衰減要求的SAC，測量到的歸一化場地衰減數(shù)值與理想開闊場（依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)ANSIC63.4－1992）的理想值的差值應(yīng)小于4dB。這項指標(biāo)面臨著許多挑戰(zhàn)，特別在低頻段，吸波材料的電場尺寸很小，而且電磁性能很差。所以，在電波暗室建造之前，需要用數(shù)字仿真，以確認(rèn)和優(yōu)化電波暗室的設(shè)計。制造者可以選擇嘗試方法來設(shè)計，但這會消耗許多時間和成本。數(shù)字仿真，通過與已建造的暗室的性能測量數(shù)據(jù)的修正相結(jié)合，是今天的電波暗室的設(shè)計者的一種有效的設(shè)計工具。   在工作頻率范圍的中段和高段，入射到吸波材料的電磁波可以被認(rèn)為是平面波。在這種情況下，利用射線跟蹤的方法來模擬電波暗室的性能，會得到一個可信的有關(guān)電波暗室性能的推算。而對于低頻情況，平面波的假設(shè)不再有效。   對于低頻范圍，有關(guān)電波暗室的性能模型有兩種方法：一種是對高頻情況下的射線跟蹤技術(shù)的模擬，另一種是對裝有吸波材料的屏蔽室進(jìn)行三維情況下的麥克斯韋方程的解算。在射線跟蹤的情況下，由于吸波材料的低頻性能以及電波暗室的尺寸，必須考慮多重反射。由于低頻段的吸波材料的測試數(shù)據(jù)在任意角度入射要比垂直情況難以測量，所以數(shù)字仿真數(shù)據(jù)常被使用。要注意的是這種模擬的吸波材料性能數(shù)據(jù)與垂直入射的測量數(shù)據(jù)緊密相關(guān)，以避免在電波暗室仿真中的系統(tǒng)誤差。在多級射線跟蹤模型中，測量的10m電波暗室的性能模擬要比3m電波暗室的好，這是由于在10m電波暗室中電空間足夠大，采用的吸波材料體積大，低段性能好。   由于求解三維麥克斯韋方程是一項深入細(xì)致的計算任務(wù)，所以通常使用有限元法或有限差分法。這些方法是將需要運算的空間分成離散的單元，以便使用麥克斯韋方程進(jìn)行運算，對于低頻段的情況，吸波材料近似為低頻薄層，可以減輕計算的難度。然而，這種算法的**性很大程度依靠吸波材料模型的使用，吸波材料性能的測試和大量的數(shù)據(jù)。在理論上，這種方法比射線跟蹤法**、可靠。然而，與多級射線技術(shù)相比，吸波材料的安裝和電波暗室測量的限制導(dǎo)致實現(xiàn)過程中的不確定性，同時也使實際設(shè)計的精度有所限制。 5、試驗室的建造            在以上的幾個部分，我們對幾個主要問題進(jìn)行了介紹，包括SAC的設(shè)計、屏蔽效能、吸波材料和電波暗室模型。這一部分集中討論這些方面的整體實施。   多級反射射線跟蹤方法具在方便計算的優(yōu)勢。應(yīng)用這種技術(shù)，設(shè)計者可以從眾多的設(shè)計草案中選取優(yōu)化設(shè)計。一個有經(jīng)驗的設(shè)計工程師可以通過分析整理數(shù)據(jù)來保證電波暗室的性能，而不用考慮模型化技術(shù)的固有限制。

在建造EMC測試試驗室時，需要相當(dāng)大的空間來容納電波暗室和相關(guān)的設(shè)備。典型的設(shè)計尺寸如表3。除了表3給出的數(shù)據(jù)，我們還要考慮防火設(shè)施、高架地板、加固屏蔽室的使其能夠負(fù)荷吸波材料的質(zhì)量、保證其完整性的鋼結(jié)構(gòu)。

表3 半波暗室參數(shù)

在SAC以及相關(guān)設(shè)備建造結(jié)束后，要驗證其性能，以證實用SAC替代理想的OATS是可行的。在民有EMC設(shè)施中，SAC性能測試依照標(biāo)準(zhǔn)ANSIC63.4－1992、CISPR22或相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)所描述的替代場方法。這些測試程序是通過比較電波暗室與OATS的場地衰減來證實電波暗室的性能的。場地衰減是按照標(biāo)準(zhǔn)中對于替代場所描述的理論，測量位于轉(zhuǎn)臺上一個靜止的圍繞EUT的區(qū)域。這個測試程序的頻率范圍是根據(jù)輻射發(fā)射對EUT測試的要求確定的。在*初的驗證確定后，SAC 的操作應(yīng)建立在每年的驗證基礎(chǔ)上。   SAC的性能依靠許多因素，其一是吸波材料的安裝。鐵氧體貼片的氣縫效應(yīng)要格外注意，特別是在門和其他穿孔的地方，那里的吸波材料是不連續(xù)的。門、接口板和窗的安排也要小心。注意不要在吸波材料不連續(xù)的地方引起性能問題，不要出現(xiàn)未經(jīng)處理的反射物質(zhì)引起的寄生的反射和發(fā)射。另外，地板要非常平，轉(zhuǎn)臺周圍要保證電連續(xù)性。驗證電波暗室時，天線系數(shù)起著嚴(yán)格的作用。另外，時間久了，吸波材料、尤其是尖劈泡沫會傾斜，在性能上影響較小，但有些負(fù)面的效應(yīng)。   一個重要的問題是選擇吸波材料或暗室的制造者時一定要有質(zhì)量控制。由于吸波材料性能是　SAC的電磁性能中*重要的因素，要注意制造商能否保證工廠里生產(chǎn)的每一批吸波材料的性能都是一致的。*好要有一個質(zhì)量控制程序，以保證每一批吸波材料的電磁性能都在低頻范圍內(nèi)進(jìn)行嚴(yán)格的檢測。而且，電波暗室的性能與吸波材料的安裝質(zhì)量相關(guān)，所以，在安裝中安排有經(jīng)驗的人員控制質(zhì)量是必須遵循的。   一般來說，EMC測試設(shè)備不僅僅是SAC。按預(yù)算和實驗的需要，可以增加屏蔽的控制室和實驗室，同樣可增加測量抗擾度的全電波暗室和預(yù)測試電波暗室。*低限度，要有足夠的空間來容納測試設(shè)備和測試人員。

6、總結(jié)   本文談到建造SAC中的概況，但它不能完全涉及到建造SAC的所有問題。一些重要的問題，如防火**和結(jié)構(gòu)完整性都需要進(jìn)一步研究。總之，建造SAC不是一項簡單的任務(wù)，有大量的因素影響SAC的電磁性能能和功能。特別對于全適應(yīng)電波暗室，對于3m或10m的測試距離，質(zhì)量控制、設(shè)計能力和已有工作業(yè)績都在選擇電波暗室生產(chǎn)家方面起著重要的作用。而且，成功的操作EMC設(shè)備與測試附屬設(shè)備（轉(zhuǎn)臺、天線桿、天線、電纜）和測量儀器的使用有關(guān)，同時，試驗人員的經(jīng)驗也很重要。

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