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關(guān)于ESD靜電抗擾度測(cè)試儀的優(yōu)缺點(diǎn)
日期：2024-10-19 08:04
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摘要：
關(guān)于ESD靜電抗擾度測(cè)試儀的優(yōu)缺點(diǎn)
目前市面上已經(jīng)存在多種ESD靜電抗擾度測(cè)試儀保護(hù)器件，但*常用的可分成三大類：聚合體、壓敏電阻/抑制器和二極管。
一、聚合體器件
雖然聚合體器件對(duì)高頻應(yīng)用來說相當(dāng)有吸引力，因?yàn)樗鼈兊膩喥し娙葜抵挥?.05~1.0pF，但這么低的電容也會(huì)帶來一些略微的副作用。與二極管不同的是，聚合體器件要求端電壓達(dá)到觸發(fā)電壓時(shí)才擊穿，而這個(gè)觸發(fā)電壓要比箝位電壓高出許多。典型的聚合體ESD器件在500V之前是不會(huì)擊穿的。一旦擊穿后它就會(huì)迅速跳到*高達(dá)150V的箝位電壓，當(dāng)電荷釋放掉后，聚合體將返回高阻狀態(tài)。不過這一過程可能要花數(shù)小時(shí)甚至**的時(shí)間，因此它們對(duì)消費(fèi)類應(yīng)用來說沒有吸引力。這些器件在制造中很難**表征，其數(shù)據(jù)手冊(cè)通常只包含典型參數(shù)值，而不提供*小和*大保證值。另外，由于它們?cè)谖锢砩鲜菍儆谌嵝云骷?，因此它們的性能?huì)隨著遭受ESD脈沖數(shù)量的增加而下降。
二、壓敏電阻和抑制器
壓敏電阻和抑制器是非線性的可變電阻。雖然它們相對(duì)來說不貴，但抑制器通常具有高觸發(fā)電壓、高箝位電壓和高阻抗特性，從而使得大多數(shù)能量會(huì)到達(dá)受保護(hù)的器件，而不是分流到地。典型的低電容抑制器的箝位電壓范圍在150~500V。低電容抑制器的典型動(dòng)態(tài)電阻是20~40Ω。由于其高阻抗特性，幾乎所有ESD沖擊電流都會(huì)傳遞到“受保護(hù)”器件而不是分流到地。
三、半導(dǎo)體二極管
ESD保護(hù)二極管被表征為低箝位電壓、低阻抗、快速導(dǎo)通時(shí)間和更好的可靠性。通常半導(dǎo)體二極管可以提供*好的ESD保護(hù)，而且現(xiàn)在的二極管已經(jīng)可以做到1pF的等效電容，因此已經(jīng)成為可靠的ESD保護(hù)和良好的信號(hào)完整性的*佳選擇。
總之，任何保護(hù)元件在正常工作期間必須作為高阻抗電路出現(xiàn)在受保護(hù)的輸入端。它所施加的電容負(fù)載必須盡可能的小，使得對(duì)正常的輸入信號(hào)幾乎沒有影響。然而,在過壓的瞬間，同一器件必須成為能量的主要通路，把能量從被保護(hù)器件的輸入端轉(zhuǎn)移出去。此外，保護(hù)器件的**（standing-off)電壓必須高于受保護(hù)端所允許的*大信號(hào)電壓。同樣，其箝位電壓必須低到足以防止所保護(hù)的器件遭受損壞，這是由于在瞬態(tài)發(fā)生期間，輸入端上的電壓將是保護(hù)器件的箝位電壓。
我們公司主要生產(chǎn)EMC測(cè)試儀器：靜電放電發(fā)生器、雷擊浪涌發(fā)生器，群脈沖發(fā)生器（詳情可點(diǎn)擊：www.dgzhongsheng.com/index.asp）
目前市面上已經(jīng)存在多種ESD靜電抗擾度測(cè)試儀保護(hù)器件，但*常用的可分成三大類：聚合體、壓敏電阻/抑制器和二極管。
一、聚合體器件
雖然聚合體器件對(duì)高頻應(yīng)用來說相當(dāng)有吸引力，因?yàn)樗鼈兊膩喥し娙葜抵挥?.05~1.0pF，但這么低的電容也會(huì)帶來一些略微的副作用。與二極管不同的是，聚合體器件要求端電壓達(dá)到觸發(fā)電壓時(shí)才擊穿，而這個(gè)觸發(fā)電壓要比箝位電壓高出許多。典型的聚合體ESD器件在500V之前是不會(huì)擊穿的。一旦擊穿后它就會(huì)迅速跳到*高達(dá)150V的箝位電壓，當(dāng)電荷釋放掉后，聚合體將返回高阻狀態(tài)。不過這一過程可能要花數(shù)小時(shí)甚至**的時(shí)間，因此它們對(duì)消費(fèi)類應(yīng)用來說沒有吸引力。這些器件在制造中很難**表征，其數(shù)據(jù)手冊(cè)通常只包含典型參數(shù)值，而不提供*小和*大保證值。另外，由于它們?cè)谖锢砩鲜菍儆谌嵝云骷?，因此它們的性能?huì)隨著遭受ESD脈沖數(shù)量的增加而下降。
二、壓敏電阻和抑制器
壓敏電阻和抑制器是非線性的可變電阻。雖然它們相對(duì)來說不貴，但抑制器通常具有高觸發(fā)電壓、高箝位電壓和高阻抗特性，從而使得大多數(shù)能量會(huì)到達(dá)受保護(hù)的器件，而不是分流到地。典型的低電容抑制器的箝位電壓范圍在150~500V。低電容抑制器的典型動(dòng)態(tài)電阻是20~40Ω。由于其高阻抗特性，幾乎所有ESD沖擊電流都會(huì)傳遞到“受保護(hù)”器件而不是分流到地。
三、半導(dǎo)體二極管
ESD保護(hù)二極管被表征為低箝位電壓、低阻抗、快速導(dǎo)通時(shí)間和更好的可靠性。通常半導(dǎo)體二極管可以提供*好的ESD保護(hù)，而且現(xiàn)在的二極管已經(jīng)可以做到1pF的等效電容，因此已經(jīng)成為可靠的ESD保護(hù)和良好的信號(hào)完整性的*佳選擇。
總之，任何保護(hù)元件在正常工作期間必須作為高阻抗電路出現(xiàn)在受保護(hù)的輸入端。它所施加的電容負(fù)載必須盡可能的小，使得對(duì)正常的輸入信號(hào)幾乎沒有影響。然而,在過壓的瞬間，同一器件必須成為能量的主要通路，把能量從被保護(hù)器件的輸入端轉(zhuǎn)移出去。此外，保護(hù)器件的**（standing-off)電壓必須高于受保護(hù)端所允許的*大信號(hào)電壓。同樣，其箝位電壓必須低到足以防止所保護(hù)的器件遭受損壞，這是由于在瞬態(tài)發(fā)生期間，輸入端上的電壓將是保護(hù)器件的箝位電壓。
我們公司主要生產(chǎn)EMC測(cè)試儀器：靜電放電發(fā)生器、雷擊浪涌發(fā)生器，群脈沖發(fā)生器（詳情可點(diǎn)擊：www.dgzhongsheng.com/index.asp）
